Санкт-Петербургский политехнический университет
Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Ru
Цэндин Константин Дамдинович PDF Печать E-mail
Добавил(а) Administrator   
18.02.11 10:21

Доктор физ.-мат. наук, профессор, родился 15.09.1942 г. в Улан-Баторе, МНР.

Образование
1965 — закончил с отличием физический факультет  Ленинградского Государственного Университета.
1978 — защита кандидатской диссертации в Государственном Оптическом институте им. С.И. Вавилова (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Феноменологическая электротепловая теория эффекта переключения".
1993 — защита докторской диссертации в Физико-техническом институте им. А.Ф.Иоффе РАН (специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков); тема: "Примесные и дефектные электронные состояния в пленках легированных халькогенидных стеклообразных полупроводников".

Основное место работы
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, ведущий научный сотрудник.

Совместительство
- Профессор кафедры “Физика твердого тела”  физико-технического факультета СПб ГПУ;
- Профессор кафедры “Физика конденсированного состояния”  Академического физико-технологического университета РАН;
- Ответственный секретарь редколлегии журнала  “Физика и техника полупроводников”

Преподавательская деятельность

 

  • Курс лекций "Физика аморфных полупроводников и проводящих полимеров", Физико-технический факультет СПб ГПУ, Академический университет РАН
  • Курс лекций "Основы физики поверхности и границ раздела", Академический университет РАН.

Область научных интересов:
- теория электронных состояний в неупорядоченных полупроводниках;
- проводимость полупроводниковых материалов в слабых и сильных электрических полях;
- теория полупроводниковых переключателей и ячеек памяти.

Основные научные достижения: разработка модели легирования неупорядоченных полупроводников, теория эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, модель высокотемпературной сверхпроводимости на основе центров с отрицательной эффективной энергии корреляции.

Визиты: Визиты с целью совместных научных исследований: на фирму INTEL  Санта Клара, Калифорния, США (2006, 2010), The University of Suwon, Kyonggido, Korea (2000), Монгольский Государственный Университет, Улан-Батор. Монголия (1998, 2008) Университет им. Бен-Гуриона, Беер-Шева, Израиль (1994), Казахский Национальный университет, Алматы (2010, 2011).

Наиболее значимые публикации
Автор более 100 публикаций в научных изданиях и материалах конференций
- ответственный редактор международной коллективной монографии «Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках»  Санкт-Петербург, Наука, 1996
- соавтор монографии « Physics and Applications of Non-Crystalline Semiconductors in Optoelectronics” Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, The Netherlands, 1997.
- соавтор монографии  "Future Trends in Microelectronics", John Willey @ Sons, Hoboken, New Jersey USA, 2010.

Контакты

Рабочий телефон: 292-79-82 , e-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра.

Последнее обновление 10.06.11 15:29