Санкт-Петербургский политехнический университет
Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Ru
Брунков Павел Николаевич PDF Печать E-mail
Добавил(а) Administrator   
18.02.11 10:17

 

Брунков Павел Николаевич

Доктор физ.-мат. наук, родился 29.06.1964 г. в Ленинграде.

Образование:
1981 — закончил  школу № 539
1987 — закончил Радиофизический Факультет Ленинградского Политехнического института им М.И Калинина (теперь СПбГПУ)
1992— защита кандидатской диссертации в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (специальность 01.04.10 – физика диэлектриков и полупроводников); тема: "Исследования дефектов с глубокими уровнями в нелегированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия".
2008 — защита докторской диссертации в ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (специальность 01.04.10 – физика полупроводников);  тема: " Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками".

Основное место работы:
Ведущий научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН,
руководитель отделения «Диагностики электрофизических параметров» ЦКП «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях» (http://ckp.rinno.ru/)

Совместительство:

•    Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет, профессор на кафедре «Физики твердого тела».
•    Санкт-Петербургский Балтийский Государственный Технический Университет им. Д.Ф.Устинова «ВОЕНМЕХ» , профессор на кафедре «Информационно-энергетических технологий».

Преподавательская деятельность

•    Курс лабораторных работ " Атомно-силовая микроскопия ", Санкт-Петербургский Государственный Политехнический Университет
•    Курс лекций " Практическая диагностика гетероструктур ", Санкт-Петербургский Балтийский Государственный Технический Университет им. Д.Ф.Устинова.
•    Курс лекций " Полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе ", Санкт-Петербургский Балтийский Государственный Технический Университет им. Д.Ф.Устинова.

Область научных интересов:
- емкостные методы исследования полупроводников и полупроводниковых наногетероструктур;
- дефекты с глубокими уровнями в полупроводниках
- методы атомно-силовой микроскопии

Основные научные достижения: разработка методов емкостной количественной спектроскопии наноструктурированных полупроводниковых материалов, наногетероструктур и приборов на их основе.

Наиболее значимые публикации
Автор более 100 публикаций в научных изданиях и материалах конференций, в том числе:

1.     Dideykin,A; Aleksenskiy,AE; Kirilenko,D; Brunkov,P; Goncharov,V; Baidakova,M; Sakseev,D; Vul`,A Ya., Monolayer graphene from graphite oxide, Diam. Relat. Mat., v.20, 2 , p.105-108 (2011)
2.    Брунков,ПН; Гуткин,АА; Рудинский,МЭ; Ронжин,ОИ; Ситникова,АА; Шахмин,АА; Бер,БЯ; Казанцев,ДЮ; Егоров,АЮ; Земляков,ВЕ; Конников,СГ. Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs. ФТП, т.45, 6, c.829-835 (2011).
3.    Z. Lin, P. Brunkov, F. Bassani, G. Bremond. Electrical study of trapped charges in nanoscale Ge islands by Kelvin probe force microscopy for nonvolatile memory applications. Appl. Phys. Lett. 97, 263112 (2010);
4.    Nikita Y. Gordeev, Vadim V. Goncharov, Sergey A. Mintairov, Nikolay A. Kalyuzhnyy, and Vladimir M. Lantratov, Pavel N. Brunkov. Influence of ex-situ AFM treatment on epitaxial growth of self-organized InAs quantum dots. Proc. SPIE, Vol. 7610, 76100L (2010); 5.    G. K. Rasulova, P. N. Brunkov, A. Yu. Egorov, and A. E. Zhukov,  Self-oscillations in weakly coupled GaAs/AlGaAs superlattices at 77.3 K, J. Appl. Phys. 105, 033711 (2009);
6.    П.Н.Брунков, В.Г.Мелехин , В.В.Гончаров, А.А.Липовский, М.И.Петров, «Формирование рельефа с субмикронным разрешением при поляризации стекол и стеклометаллических нанокомпозитов» , Письма в ЖТФ, том 34, выпуск 23, с.73-80 (2008). 7.    А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, З. Г. Царева, М. Н. Корытов, П. Н. Брунков, Б. Г. Жуков, С. И. Розов, «Прямое наблюдение изолированных кластеров ультрадисперсного алмаза методом атомно-силовой микроскопии», Письма в ЖТФ, том 32, выпуск 13, с.12-18 (2006).
8.    V. K. Kalevich, I. A. Merkulov, A. Yu. Shiryaev, K. V. Kavokin, M. Ikezawa, T. Okuno, P. N. Brunkov,A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, and Y. Masumoto,  Optical spin polarization and exchange interaction in doubly charged InAs self-assembled quantum dots,  Phys. Rev. B 72, 045325 (2005).
9.    V.K. Kalevich, M. Ikezawa, T. Okuno, K.V. Kavokin, A.Yu. Shiryaev, P.N.Brunkov, A.E. Zhukov, V.M.Ustinov, and Y. Masumoto “Optical spin polarization of holes in negatively charged InAs/GaAs self-assembled quantum Dots” Physica E 21, p.1018-1021 (2004).
10.    T Warming, F Guffarth, R Heitz, C Kapteyn, P Brunkov,V M Ustinov, D Bimberg “Wavelength selective charge accumulation in self-organized InAs/GaAsquantum dots” Semicond. Sci. Technol. 19, S51–S53 (2004).
11.    G.K. Rasulova, M. V. Golubkov, A. V. Leonov, P. N. Brunkov, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, S. O. Usov, S. G. Konnikov “Self-sustained oscillations in weakly coupled GaAs/AlGaAs superlattices” Semicond. Sci. Technol. 19, S77–S79 (2004).
12.    Souifi A, Brounkov P, Bernardini S, Busseret C, Militaru L, Guillot G, Baron T “Study of trap centres in silicon nanocrystal memories” Materials Science and Engineering B – Solid State Materials for Advanced Technology 102: (1-3), pp.99-107 (2003).
13.    V.K. Kalevich, M. Ikezawa, T. Okuno, A.Yu.Shiryaev, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, P.N.Brunkov, and Y. Masumoto, Optical spin polarization in negatively charged InAs self-assembled quantum dots under applied electric field., Physica Status Solidi (b) 238, p.250–253 (2003).
14.    P. N. Brunkov, A. Patane, A. Levin, L. Eaves, and P. C. Main, Yu. G. Musikhin, B. V. Volovik, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, and S. G. Konnikov “Photocurrent and capacitance spectroscopy of Schottky barrier structures incorporating InAs/GaAs quantum dots” Phys.Rev.B 65(8), 085326 (2002).
15.    Yu V Dubrovskii, E E Vdovin, A Patané, P N Brounkov, I A Larkin, L Eaves, P C Main, D K Maude, J-C Portal, D Yu Ivanov, Yu N Khanin, V V Sirotkin, A Levin, M Henini and G Hill “Probing the electronic properties of disordered two-dimensional systems by means of resonant tunnelling”   Nanotechnology V.12 No 4, pp. 491-495 (2001).
16.    C. M. A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz, D. Bimberg, P. N. Brunkov, B. V. Volovik, S. G. Konnikov, A. R. Kovsh, and V. M. Ustinov, 'Hole and electron emission from InAs quantum dots'. Appl.Phys.Lett. 76 (12), p.1573-1575 (2000).
17.    P. N. Brunkov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov, Yu. G. Musikhin, N. N. Ledentsov, S. G. Konnikov, A. Polimeni, A. Patanè, P. C. Main, L. Eaves, C. M. A. Kapteyn , "Emission of electrons from the ground and first excited states of self-organized InAs/GaAs quantum dot structures", Journal of Electronic Materials 28(5), p.486-491 (1999).
18.    P. N. Brounkov, V. V. Chaldyshev, A. A. Suvorova, N. A. Bert, S. G. Konnikov, A. V. Chernigovskii, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, and B. R. Semyagin .// Bistability of charge accumulated in low-temperature-grown GaAs. Appl.Phys.Lett. 73(19), p.2796-2798 (1998)
19.    P.N.Brounkov, A.Polimeni, S.T.Stoddart, M.Henini, L.Eaves, P.C.Main, A.R.Kovsh, Yu.G.Musikhin, S.G.Konnikov // Electronic structure of self-assembled InAs quantum dots in GaAs matrix.  Appl.Phys.Lett. 73(8), p.1092-1094 (1998)
20.    P.N.Brounkov, T. Benyattou, G. Guillot // Simulations of the capacitance-voltage characteristics of a single-quantum-well structure based on the self-consistent solution of the Schroedinger and Poisson equations.  J.Appl.Phys., 80,  p. 864-871  (1996).
21.    П.Н.Брунков,  С.Г.Конников,  В.М.Устинов, А.Е.Жуков, А.Ю.Егоров, М.В.Максимов, Н.Н.Леденцов, П.С.Копьев // Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs ФТП,  30,  с.924-933, (1996).

Контакты
Рабочий телефон: +7-812-2929382 , e-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра.

Последнее обновление 01.02.13 20:28