Санкт-Петербургский политехнический университет
Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Ru
Физика полупроводниковых приборов PDF Печать E-mail
Добавил(а) Administrator   
05.12.13 01:22

Физика полупроводниковых приборов
Целью настоящего курса являются:
1. изучение основных физических явлений в полупроводниках и их
теоретического описания;
2. изучение электронных и оптоэлектронных явлений в полупроводниковых
структурах;
3. освоение основных физико-математических моделей, используемых для
аналитического описания электронных и оптоэлектронных процессов в
полупроводниковых структурах с потенциальными барьерами (p-n-
переходом, гетеропереходом, контактом металл-полупроводник);
4. рассмотрение основных типов и характеристик реальных
полупроводниковых приборов (диод, полевой транзистор, биполярный
транзистор, фотодиод, светоизлучающий диод, лазерный диод);
5. формирование навыков проведения расчетов основных параметров
полупроводниковых материалов и p-n структур.
Темы
1. Введение
2. Электропроводность и зонная структура твердых тел.
3. Статистика равновесных носителей заряда в полупроводниках.
4. Неравновесные носители заряда в полупроводниках.
5. Перенос электрического заряда в полупроводниках.
6. Контакт полупроводников в разными типами проводимости - pn-переход.
7. Контакт полупроводников с одним типом проводимости - nn+ - и pp+ - переходы.
8. Контакты металл-полупроводник
9. МДП (МОП) - структуры.
10. Полупроводниковые диоды
11. Биполярные транзисторы.
12. Тиристоры.
13. Полевые приборы.
14. Поглощение и испускание света в полупроводниках.
15. Люминесценция полупроводников.