Санкт-Петербургский политехнический университет
Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Ru
Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников PDF Печать E-mail
Добавил(а) Administrator   
05.12.13 01:12

Оптические и фотоэлектрические свойства
полупроводников
Цели изучения дисциплины.
Знание оптических и фотоэлектрических свойств полупроводников
необходимо для научной и практической деятельности, для освоения известных
и разработки новых полупроводниковых приборов. Оптические и
фотоэлектрические явления широко используются для создания приборов. На
основе использования оптических и фотоэлектрических явлений уже созданы
многочисленные приборы, например, источники и приемники излучения,
устройства и системы оптоэлектроники, интегральной оптики, квантовой
электроники, оптической обработки информации, оптической связи и т.д.
Оптические и фотоэлектрические явления широко используются при изучении
полупроводников, определении их важнейших параметров. Исследованиям в
этой области физики полупроводников вплоть до настоящего времени
сопутствует обнаружение новых, ранее не известных в полупроводниках
эффектов, многие из которых нашли практическое применение. Таким образом,
материал, предлагаемый в курсе, составляет одно из важнейших направлений в
физике и технике полупроводников и электронике, имеющее как
фундаментальное, так и прикладное значение. Дается физическое описание
(иногда с выводом формул) важнейших оптических и фотоэлектрических
явлений, изучаемых и используемых в физике полупроводников и
оптоэлектронике.
Основные цели изучения курса: а) знание основных оптических и
фотоэлектрических явлений в полупроводниках, их изменения во внешних
полях, возможности их использования для определения параметров
полупроводников и создания приборов; б) умение интерпретировать
полученные экспериментальные данные по оптическим и фотоэлектрическим
явлениям, применять их для определения параметров полупроводников,
использовать на практике полупроводниковые оптоэлектронные приборы;
в) самостоятельно предсказывать изменение оптических и фотоэлектрических
свойств полупроводников при изменении внешних условий, воздействии
различных факторов и полей, при структурных превращениях; способность
модифицировать известные и создавать новые полупроводниковые приборы;
г) уверенность при исследованиях, развитие творческого интереса к научной и
практической работе, к мировоззренческим аспектам физики и техники
полупроводников.
Темы
1. Введение
2. Механизмы поглощения света
3. Поглощение света во внешних полях и в сильнолегированных полупроводниках
4. Магнетоплазменные явления
5. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниках
6. Фотоэлектрические явления