Санкт-Петербургский политехнический университет
Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Ru
Инжекционные процессы в полупроводниковых структурах PDF Печать E-mail
Добавил(а) Administrator   
05.12.13 01:05

Инжекционные процессы в полупроводниковых
структурах
Цель изучения дисциплины - сформировать специалистов, которые
умеют обоснованно и результативно применять и осваивать новые современные
подходы, методы и модели при решении задач, связанных с проблемами
развития элементной базы твердотельной электроники.
В рамках данной дисциплины студенты изучают развитие инжекционных
процессов в различных типах современных полупроводниковых приборов.
Особое внимание уделено рассмотрению физических основ полупроводниковой
электроники, таких как статистика носителей заряда, рекомбинационно-
генерационные процессы, механизмы переноса заряда, контактные явления,
постановка и решение теоретичеких и практических задач для приборных
структур. Полученные студентами знания позволяют компетентно
анализировать развитие инжекционных процессов в полупроводниковых
структурах как в излтермических, так и неизотермических условиях.
В ходе освоения дисциплины студенты знакомятся с актуальными проблемами
и новейшими разработками в области полупроводниковой электроники. При
этом закладываются необходимые навыки для решения задач, связанных
с развитием ее элементной базы.
Темы
1. Методы описания инжекционных процессов в полупроводниковых структурах.
2. Стационарные изотермические инжекционные процессы.
3. Нестационарные изотермические инжекционные процессы.
4. Неизотермические инжекционные процессы..
5. Инжекционные процессы в диодных структурах
6. Инжекционные процессы в биполярных транзисторах.
7. Инжекционные процессы в тиристорных структурах
8. Нестационарные инжекционные и тепловые процессы при сверхбольших плотностях
тока.