Санкт-Петербургский политехнический университет
Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Ru
Панайотти Ирина Евгеньевна PDF Печать E-mail
Добавил(а) Administrator   
05.12.13 00:43

Панайотти Ирина Евгеньевна.

ponaiyotti
Кандидат физ.-мат. наук, родилась 22.01.1963 г. в Ленинграде.
Образование:
1986 — закончила с отличием радиофизический факультет (кафедра твердотельной
электроники) Ленинградского политехнического института.
1993 — защита кандидатской диссертации в Физико-Техническом Институте им. А. Ф.
Иоффе АН СССР. (специальность 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков);
тема: «Нестационарные инжекционные и тепловые процессы в сверхмощных
полупроводниковых переключателях».
Основное место работы: Физико-Технический Институт им. А. Ф. Иоффе Российской
академии наук, научный сотрудник.
Совместительство:
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, доцент.
Преподавательская деятельность
Курс лекций «Физика полупроводниковых приборов», Санкт-Петербургский
государственный политехнический университет (с 2000 г. по 2012 г.).
Цикл лекций по дисциплине «Введение в специальность», Санкт-Петербургский
государственный политехнический университет (с 2000 г. по 2012 г.).
Курс лекций «Инжекционные процессы в полупроводниковых структурах», Санкт-
Петербургский государственный политехнический университет (с 2013 г.).
Область научных интересов:
- инжекционные и тепловые процессы в полупроводниковых приборах;
- спиновые явления в магнитных полупроводниковых гетероструктурах;
- оптическое возбуждение поверхностных плазмонов.
Наиболее значимые публикации:
1. А.В. Горбатюк, И.Е. Панайотти Пространственная динамика эффектов тепловой
перегрузки кремниевых диодов и динисторов. Письма в ЖТФ, т. 32, вып. 22, с. 37-44,
(2006).
2. V. F. Sapega, O. Brandt, M. Ramsteiner, K. H. Ploog, I. E. Panaiotti, N. S. Averkiev. Hole
spin polarization in GaAs: Mn/AlAS multiple quantum wells. Phys. Rev. B 75,113310 (2007).
3. A. M. Monakhov, R. S. Romanov, I. E. Panaiotti and N. S. Averkiev. Spatial Structure of an
Individual Deep Acceptor in a Cubic Crystal. International Journal of Nanoscience, Vol. 6, No 5
pp. 379-382 (2007).
4. V. F. Sapega, N. I. Sablina, I. E. Panaiotti, N. S. Averkiev,1 and K. H. Ploog. Hole spin
polarization in the exchange field of the dilute magnetic (Ga,Mn)As semiconductor studied by
means of polarized hot-electron photoluminescence spectroscopy. Phys. Rev. B 80, 041202(R)
(2009).
5. И. А. Словинский, Р. П. Сейсян, М. Э .Сасин, И. Е. Панайотти, М. В. Максимов,
С. О. Когновицкий, Взаимодействие поляризованного света с гребешковыми
металлизированными наноструктурами. Письма в ЖТФ, т.38, вып. 4, стр. 34-40, (2012).
6. А. В. Горбатюк, Б. В. Иванов, И. Е. Панайотти, Ф. Б. Серков, Переходные
характеристики реверсивно-включаемых динисторов в субмикросекундном диапазоне.
Письма в ЖТФ, т.38, вып. 8, стр. 81-88, (2012).
Контакты
Рабочий телефон: (812) 292-79-94 , e-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра.

Последнее обновление 05.12.13 00:44