Санкт-Петербургский политехнический университет
Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Ru
Аверкиев Никита Сергеевич PDF Печать E-mail
Добавил(а) Administrator   
05.12.13 00:32

Аверкиев Никита Сергеевич

averkiev

Доктор физ.-мат. наук, родился 13 .02.1956 г. в Ленинграде.
Образование:
1979 — закончил с отличием факультет электронной техники , базовую кафедру ФТИ
«Оптоэлектроника»
1985 — защита кандидатской диссертации в Ленинградском политехническом институте
(специальность 01.04.010 – физика полупроводников и диэлектриков) тема:
«Поляризационные оптические явления в полупроводниках со сложной структуры зон».
1990 — защита докторской диссертации в ФТИ им.А.Ф.Иоффе (специальность 01.04.10 -
физика полупроводников и
диэлектриков); тема: "Спин-зависимые кинетические эффекты в полупрводниках
Основное место работы:
Заведующий сектором «Теории оптических и электрических явлений в полупрводниках» в
ФТИ им.А.Ф. Иоффе
Совместительство:
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, профессор,
кафедры физики и технологии наноструктур.
.
Преподавательская деятельность
Курс лекций "Физика твердого тела", Санкт-Петербургский государственный
политехнический университет.
Курс лекций "Дефекты в полупроводниках", Санкт-Петербургский государственный
политехнический университет.
Область научных интересов:
Теория полупроводников
Квантовых транспорт в наноструктурах
Основные научные достижения: создание ряда моделей глубоких центров в
полупроводниках, предсказание и обнаружение эффекта анизотропии спиновой
релаксации в двумерных структурах, предсказание поверхностного фотогальванического
эффекта и существования поверхностных экситонов на границе метал-диэлектрик-
полупроводник.
Организатор российских молодежных конференций по физике «ФизикА» и
международной конференции «НАНОПИТЕР»
Наиболее значимые публикации
Автор более 150 публикаций в научных изданиях и материалах конференций, в том
числе:
1. Квазидвумерный эффект Шубникова-де Гааза
Аверкиев,НС; Голуб,ЛЕ; Тарасенко,СА
2000, ЖЭТФ, т.117, 2 страницы: 407-410
2. Effect of intersubband scattering on weak localization in two-dimensional systems
Averkiev,NS; Golub,LE; Tarasenko,SA; Willander,M
2001, Phys. Rev. B, v.64, 4 , р.045405
3. Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductor systems
Averkiev,NS; Golub,LE; Willander,M
2002, J. Phys.: Condens. Matter, v.14, 12 , R271-R283
4. Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках.
Аверкиев,НС
2010, УФН, т.180, 7, страницы: 777-780
5. Hole spin polarization in GaAs:Mn AlAs multiple quantum wells
Sapega,VF; Brandt,O; Ramsteiner,M; Ploog,KH; Panaiotti,IE; Averkiev,NS
2007, Phys. Rev. B, v.75, 11 ,р.113310
6. Tunneling magnetic effect in heterostructures with paramagnetic impurities,
Rozhansky,IV; Averkiev,NS; Lahderanta,E
2012, Phys. Rev. B, v.85, 7 , p.075315
Контакты
Рабочий телефон: +7-812-2927155 , e-mail: Данный адрес e-mail защищен от спам-ботов, Вам необходимо включить Javascript для его просмотра.

Последнее обновление 05.12.13 00:34